林蘭英：被稱為中國半導體资料之母

  林蘭英（1918.2.7—2003.3.4），福建省莆田市人，半導體资料科學家、物理學家，中國科學院院士。1940年從福建協和大學（福建師范大學前身）物理系畢業后留校任教﹔1948年赴美留學，1955年獲得賓夕法尼亞大學固體物理學博士學位。她於1957年沖破重重阻礙，帶著半導體新资料回到中國。回國后，長期從事半導體资料科學研讨作业，是我國半導體科學事業開拓者之一。先后負責研发成我國榜首根硅、銻化銦、砷化鎵、磷化鎵等單晶，為我國微電子和光電子學的發展奠定了基礎。

  林蘭英是我國半導體资料科學的奠基者和開拓者，同時也是第四次国际婦女大會中國代表團成員。林蘭英发起男女相等，在进步婦女位置、婦女受教育等問題上傾注了许多汗水，是中國現代女人科學家的代表人物。

  林蘭英出世於福建莆田的名門望族，祖上是明朝的御史林潤。林蘭英的父親是一位知識分子，曾就讀於上海大學，后在南昌的《國民日報》做編輯。由於莆田當地重男輕女思维盛行，林蘭英的求學之路並不順利。為了從母親那裡得到上學的機會，7歲的林蘭英曾把自己關在房間裡，絕食近3天。

  林蘭英學習勤奮吃苦、天資聰慧，成績在班上一向独占鳌头。在初中的六個學期她都坚持全年級榜首名的成績，是當之無愧的優秀生，並因而免除了學雜費。因學業成績優異，家人最終承受了她走讀書這條路。1936年，林蘭英以超卓的成績考入福建協和大學物理系。在校期間，她憑借學習才干和研讨才干得到同學和老師的認可，最终以優秀畢業生的身份留校任教。在校任教的8年時間裡，林蘭英親手編寫《光學實驗課程》的教科書，並以此獲得講師的任職資格。

  隨著身邊越來越多的老師公派出國學習，不甘落后的林蘭英幾經曲折終於申請到賓夕法尼亞州迪金森學院的沟通項目。1949年，她獲得迪金森學院數學學士學位，同時獲得美國大學榮譽學會迪金森分會獎勵她的一枚金鑰匙﹔她在學術上的超卓表現也深得導師的贊賞，她的導師有意推薦她到芝加哥大學數學系繼續进修，沉思熟慮后，林蘭英婉辞謝絕了。林蘭英考虑的不僅是自己的興趣和愛好，更是自己怎么样才干够運用所學真实幫助貧窮落后的祖國。數學雖然是她的興趣地点，但繁荣興起的固體物理也正在悄然改變著国际。懷著“一切都應該服從祖國建設事業的迫切需要”的主意，林蘭英果斷地選擇改學固體物理專業，當時這門學科在我國還是一片空白。同年秋，林蘭英進入賓夕法尼亞大學研讨生院，開始了固體物理專業的研讨。1951年，她獲得賓夕法尼亞大學固體物理學碩士學位，之后繼續攻讀博士學位，師從米勒教授。1955年6月，憑借博士論文《離子晶體缺点的研讨》獲得賓夕法尼亞大學固體物理學博士學位，是該校建校以來，榜首位獲得博士學位的中國人，也是該校有史以來的榜首位女博士。

  1955年，完结博士學業的林蘭英因美國政府的施壓，暫時無法回國。美國的半導體科學正在繁荣發展，為了將實踐和理論相結合，深度接觸半導體资料研讨的前沿領域，學習實用技術，為回國作业打下结实的基礎，林蘭英來到美國闻名的索菲尼亞公司擔任高級工程師，專注於半導體资料研讨。當時該公司正在依據美國科學家研讨的办法和工序拉制硅單晶並屢遭波折，林蘭英經過觀察和研讨，不僅找出了失敗的症結，并且提出了改進操作規程和設備的建議，最終使得拉制硅單晶的任務圓滿完结。隨后她據此發表的有關論文還被美國當局列為專利技術。在索菲尼亞公司任職的一年多時間裡，林蘭英開闊了视野、增長了學識，深受公司的賞識。

  盡管美國擁有超卓的作业環境和優越的日子條件，但一有機會，思鄉心切的林蘭英依舊決定回来祖國。1956年秋，林蘭英以母親病重為由，向美國當局遞交了回國的申請，並通過印度駐美大使館的幫助，辦好了回國手續。然而在登機前，美國的調查員對林蘭英的行李進行了詳細的搜寻，檢查完行李后，調查員又對林蘭英進行了搜身，並在她身上找到了6800美元的旅行支票。美國人再次以此作為威脅，讓她留在美國。林蘭英堅決拒絕了，她想，“扣就扣吧，便是平民百姓，我也下決心回國了”。

  1957年，林蘭英回國后進入中國科學院作业，從事半導體方面的研讨。當時，我國的半導體事業非常落后，單晶硅計劃在1968年開始進行。外國專家也預測，中國要到60年代才干著手單晶资料的研发。然而在林蘭英的帶領下，我國於1957年拉制成功榜首根鍺單晶，於1958年拉制成功榜首根硅單晶，中國也成為国际上第三個生產出硅單晶的國家。

  之后，林蘭英又把視野從元素周期表上的鍺、硅之類的第四宗族擴展到第三、五宗族，重點從事新式资料砷化鎵的研讨。砷化鎵是一種有發展潛力的新式半導體资料。砷化鎵的熔點高達1238℃，加上砷的劇毒特性，國外眾多科學家先后放棄了對其的研讨。在许多學者都認為該項研讨沒有出路時，林蘭英卻看到了砷化鎵研讨的远景。

  林蘭英是国际上最早在太空制成半導體资料砷化鎵單晶的科學家。起先林蘭英想通過國際协作開展太空砷化鎵單晶的生產协作，而在1986年的空間科學研討會上，德方專家態度高傲，對我國的技術力气極為不屑。這反而激發出林蘭英強大的民族責任感，她決定使用我國的回来式人工衛星，自给自足開展這一研讨作业。從1987年到1990年，林蘭英進行砷化鎵單晶太空生長實驗3次，均獲得成功，並用它研发成半導體激光器。林蘭英也因而被人們稱為“中國半導體资料之母”。

  1989年7月，美國國家航空航天局發來邀請，請林蘭英前往參加國際宇航會議，並向大會作中國使用人工衛星進行半導體资料研发試驗的報告。報告引起了各國專家的關注。曾經出言諷刺我們的德國專家走過來握著林蘭英的手，驚訝地對她表明祝賀。這是一次戲劇性的相遇，兩人的處境已經發生了奇妙的變化。不過在林蘭英的心裡卻絲毫沒有輕視對方的念頭，並提出期望日后能有機會進行沟通协作。林蘭英感谢這位異國科學家曾經激發了她熾熱的愛國情懷，使她煥發出更大的決心和力气。她寬廣的胸懷是促进她不斷進步的原因。

  林蘭英不僅是一位超卓的科學家，還是一位熱情的教育家和活躍的女人社會活動家。她在大中小學作過屡次報告，承受過多家媒體的採訪。她結合自己的親身經歷，鼓勵婦女自负、自愛、自強，有事業心和進取心，自強不息、艱苦奮斗。在聯合國第四次国际婦女大會上，林蘭英表明，“相等首先是貢獻上的相等，要求男女相等，婦女必須做出超卓的作业，得到社會的認同”。

  林蘭英在科研道路上克服了種種困難，永遠充滿干勁，挑戰自己，不斷打破自己。憑借滿腔的愛國熱情、強大的自傲、耐久的意志、寬廣的胸怀，在科學界詮釋了真实的“女人力气”。我國半導體资料從無到有，從低級到高級，從落后到先進，每一次進步都與林蘭英和同伴們的艱苦奮斗息息相關。林蘭英1996年獲何梁何利基金科學與技術進步獎，1998年獲霍英東成果獎。她的研讨成果不僅广泛使用在工業領域中，并且為中國的國防工業和太空領域研讨作出了巨大貢獻。

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